[자연과학] 일반물리학 실험 - 기초회로실험
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작성일 20-08-27 20:54
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인(P)과 같이 5개의 원자가전자를 가지는 Ⅴ족 원소가 미량 첨가되면, 이 Ⅴ족 원소의 4개 원자가전자는 이웃하는 4개의 Ⅳ족 원소와 공유결합을 이루고, 남은 1개의 원자가전자는 비교적 자유로이 움직일 수 있어 작은 전기 저항 값을 가지게 된다 이와 같이 Ⅴ족 불순물을 첨가하여 자유로운 전자를 가지는 반도체를 n형 반도체라 한다. 이를 통하여 물질에 따른 전기特性(특성)의 차이를 비교하여 본다. 그림 Ⅲ-14 (c)와 같이 p쪽에 +전위를, n쪽에 -전위를 걸어 주는 경우를 순방향 전압이라 하고, 그림 Ⅲ-14 (d)와 같이 반대로 전위를 걸어줄 때를 역방향 전압이라 한다.
3.관련theory
가) 다이오드 特性(특성)Ⅳ족 원소인 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)은 이들이 결정상태를 이루고 있을 때 각 원자가 가지고 있는 4개의 원자가 전자들이 이웃하는 4개의 다른 원자와의 강한 공유결합을 형성하고 이들에 속박되어 아주 큰 저항을 가지고 있따 이 결정에 Ⅲ족이나 Ⅴ족의 불순물이 들어가면 일반적으로 전기저항이 감소한다. 반면에 갈륨(Ga)과 같이 3개의 원자가전자를 가지는 Ⅲ족 원소는 이웃의 3개의 Ⅳ족 원소 결정에 미량 첨가하면, Ⅲ족 원소는 이웃의 3개의 Ⅳ족 원소와 공유결합을 이루고 하나의 Ⅳ족 원소의 공유결합이 전자의 부족으로 형성되지 못하게 되어 결정격자에 양공(hole)을 형성하게 된다 이와 같이 Ⅲ족 불순물을 첨가하여 양공이 형성된 반도체를 p형 반도체라 한다. 이와 같은 n형 반도체와 p형 반도체를 접합시켜 놓은 것이 반도체 다이오드이다.
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순서
실험결과/물리
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일반물리학 experiment(실험) - 기초회로experiment(실험)
1.experiment(실험)題目(제목)
-기초회로experiment(실험)
2.experiment(실험)목적
-저항체의 양 끝에 걸리는 전압에 따라 이 저항체에 흐르는 전류의 alteration(변화) 를 조사하여, 일반 저항체에 대한 옴의 법칙과 이의 저항 값에 대한 색 코드를 확인하고, 반도체 다이오드의 전기(정류) 特性(특성)을 본다. 역방향 전압의 경우, p형 반도체 층 내부영역의 양공은 낮은 전위의 -전극 쪽으…(省略)
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설명
다. 이의 구조와 동작원리는 그림 Ⅲ-14 (c)와 같다.
