[Engineering,기술] 반도체공정 실험 - Dry etching
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작성일 20-03-22 20:18본문
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2) 시료의 표면...
實驗(실험): Dry etching
1. 實驗(실험) 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Photolithography’ 공정을 실시한 후 Si기판을
플라즈마를 이용하여 식각하는 공정인 ‘Dry etching’을 실시하며 FE-SEM을 이용하여
SiO2 inspection을 측정(measurement)한다.
9) FE-SEM을 이용하여 시료들의 SiO2 inspection을 측정(measurement)하고 식각 전과 비교한다. 實驗(실험) 과정
1) Cleaning, Oxidation, Photolithography 공정을 마친 wafer 시료를 준비한다.
6) Chamber에 Plasma gas로 C F gas(화학적 reaction response 야기)와
Ar gas(물리적 reaction response 야기)를 주입한다.
(식각 전 패턴 사이즈 측정(measurement))
3) ICP 장비의 reaction response Chamber에 시료를 넣는다. 이번 實驗(실험)에서 전원의 세기를 300와트로 에칭 시간을
3min, 5min, 7min으로 alteration(변화) 를 주어 에칭 시간을 조정함에 따라 제품의 SiO2 inspection이
어떤 influence(영향)을 받는지 확인하고자 한다.
2. 實驗(실험) 방법
가. 實驗(실험) 변수
전원의 세기
식각 시간
나머지 변인
300 W
3 min
모두 동일
5 min
7 min
나. 實驗(실험) 준비물
Dry etcher, FE-SEM, ICP, Si wafer 시료
다.
5) Chamber에 Oxygen gas를 주입한다.
8) 3가지 시료에 각각 3분, 5분, 7분 씩 에칭하는 과정을 반복한다.
2) 시료의 표면을 FESEM으로 찍은 후 표면의 감광제 모형인 마스크 패턴을 확인한다.
(식각 후 패턴 사이즈 측정(measurement))
3. 결과 및 고찰
조사하면서 일단 아는거 다 써봤는데 잘못된거나 추가하고 싶으신거 있으면 바로바로 말씀해주시면 고칠게요. 그리고 궁금한게 etch rate가 시간이 지날수록 떨어지는게 맞는건지랑…(투비컨티뉴드 )
[Engineering,기술] 반도체공정 실험 - Dry etching
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설명
[Engineering,기술] 반도체공정 실험 - Dry etching
순서
다.
4) Chamber를 대기압 보다 낮은 진공(10 Torr 이하)으로 만든다.
7) 전원장치를 이용하여 300W의 전원을 공급한다.공학,기술,반도체공정,실험,Dry,etching,기타,실험결과
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실험결과/기타
實驗(실험): Dry etching
1. 實驗(실험) 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Photolithography 공정을 실시한 후 Si기판을
플라즈마를 이용하여 식각하는 공정인 ‘Dry etching을 실시하며 FE-SEM을 이용하여
SiO2 inspection을 측정(measurement)한다. 이번 實驗(실험)에서 전원의 세기를 300와트로 에칭 시간을
3min, 5min, 7min으로 alteration(변화) 를 주어 에칭 시간을 조정함에 따라 제품의 SiO2 inspection이
어떤 influence(영향)을 받는지 확인하고자 한다.
2. 實驗(실험) 방법
가. 實驗(실험) 변수
전원의 세기
식각 시간
나머지 변인
300 W
3 min
모두 동일
5 min
7 min
나. 實驗(실험) 준비물
Dry etcher, FE-SEM, ICP, Si wafer 시료
다. 實驗(실험) 과정
1) Cleaning, Oxidation, Photolithography 공정을 마친 wafer 시료를 준비한다.